电源技术中的Onsemi 推出11个新型低饱和电压BJT

安森美半导体(Onsemi)宣布,进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管(BJT)产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封装。这些备有多种封装选择的新器件采用先进硅技术,与传统BJT或者平板MOSFET相比,其电源效率更佳,电池寿命更长。这些新器件是各种便携式应用的理想选择。 安森美半导体分立产品部总经理Mamoon Rashid说:“安森美半导体将持续拓展便携式产品系列,从而使设计更灵活,并实现最佳的节能。我们的BJT在同类产品中脱颖而出,在业内是电源功耗最少且热性能最佳。我们已将该系列扩展到20个以上的产品,在目前市