元器件应用中的三星开发出新型双栅晶体管

韩国三星电子日前开发成功了pMOS导通电流高达2.31mA/μm的新型双栅晶体管“MBC(multi-bridge-channel)FET”。开关特性也不错,为75mV/dec。该公司2004年6月就n型MBCFET进行了技术发表,此次则试制成功了p型产品。n型MBCFET采用了多晶硅栅极,而此次为了控制阈值,采用了TiN材料的金属栅,在Bulk底板和SOI底板上对n和p两种特性进行测试。 MBC是一种在结构上通过在硅底板内部嵌入多个栅电极,将夹在栅电极之间的区域用作沟道的晶体管。每个沟道的平均厚度为20nm。即使将栅极长度缩短至30nm左右,也能利用晶体管结构控制短沟道效应,而不需在