元器件应用中的半导体器件的发热和散热

这里以半导体三极管为例进行介绍。半导体三极管的热量是由集电极和发射极的pN结产生的。由于集电结工作时加反向偏置电压,有很高的电阻,所以会产生很多的热量。实际上集电结产生的热量远远大于加正向偏压的发射结,因而可以将发射结产生的热量忽略。此时半导体三极管的耗散功率为: PD=Ic·VCE 式甲:PD--耗散功率; Ic--集电极电流; VC--集电极与发射极之司的电压。, 耗散功率PD就是半导体三极管需要散发的热流。当热流遇到热阻时,就会使 三极管的温度升高。 不同的半导体所承受的最高温度是不同的,如锗