250W级功率MOSFET的门驱动电路

前面实验的功率MOSFET是漏极损耗15OW的器件。下面,针对大容量的功率MOSFET进行实验。 这里,使用2SK1522(PD=250W、VDs=50OV、IDS=50A、Ciss=87OOpF、Crs=235pF、RON=0. 11Ωmax;日立制造),门极输入电容是2SK1379的几倍。 实验电路中为观测门极电流IG及漏极电流ID的波形,夹紧探头(图1、照片2)。负载电阻因绕线系统中的电阻器可能会产生阻抗振荡,所以并联连接8个3W、200Ω的氧化金属薄膜电阻,当用于开关的输人占空比极小不能测定时就会发热. 图1 250W功率MOSFET的开关特性测定电路