150W级功率MOSFET的门驱动电路

作为高速的开关器件,功率MOSFET比较被注目。要充分地使用它,就必须非常清楚其门驱动电路。 功率MOSFET在苴流~低速开关用途上,与以往的场效应品体管相比易于驱动是其最大的特色.但如要在高频时实现高速开关动作,则因门输入阻抗低而非常困难,教科书卜提到过功率MOSFET的输人阻抗极高,但那是有适用条件的. 图1是用于测试功率MOSFET(2SK1379)的开关特性的电路.试验中使用的2SK1379(东芝)是60V、50A,漏极损耗150W,gm=25~35S的功率开关器件.注意其输入电容Cis=36OOpF、反馈电容Crs=10O0pF 使用此FET,研究其门极上直接串联连接的电