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同步DRAM的写操作

上传者: 2020-11-17 22:26:22上传 PDF文件 60.47KB 热度 11次
同步DRAM的写操作如图所示,与读操作相同,都是与时钟上升沿同步地赋予指令及数据的。 图 SDRAM的写操作 (1)行地址与存储块编号指定 向处于IDLE状态的同步DRAM发出ACTV指令,同时赋予行地址和存储块编号,据此,激活相应的存储块,使之处于能够接受下-写指令的状态。 (2)发出写指令 发出ACTV指令后,只要经过tRCD时间的等待,就可以处于能接受下一指令的状态,与列地址、写入数据一起发出WRITE指令。与读操作时不同的是,不必在意延迟时间,可与指令同时赋予数据。 (3)数据的连续写入 当进行突发写操作时,可在此之后连续赋予数据。只要连续赋
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