DRAM的单元结构

DRAM单元的基本结构如图所示,负责数据存储的是图中的电容器,根据是否存储电荷来判断数据的“0”、“1”。图中电容器的一端接地,因为是交流接地,所以不是形成GND电平的意思。电容器的另—端与用于存取开关FET的漏极相连接。 图 DRAM的单元 读操作时,通过连接于FET栅极的字线,将FET处于ON状态,电容器与数据相连接。由于在电容器与数据线之间发生电荷的移动,数据线的电压发生变化,因此,只要检测出该电压的变化,就可以判定数据(“1”还是“0”)。因为电容器中存储的电荷发生了移动,所以如果进行读操作,其存储的内容就将消失。存取操作的详细过程将在后面说明,像这样因为存取而失去存储