显示/光电技术中的波导SOl化学气相沉积工艺特点

对于SOl波导来说,CVD技术一般用来淀积其上包层,通常为二氧化硅或氮化硅。 对于调制器等有源器件来说,这一层还起着隔离金属电极减小电极对波导造成损耗的作用,所以厚度一定要选择合适,不能太薄,如果薄了就不能起到隔离金属的作用;但也不能太厚,因为如果太厚,金属覆盖也存在问题。 对于波导器件如波导分束器(Y分支、S弯曲分支)等器件来说,波导上包层的覆盖比较困难,因为这种分支的角度一般很小(小于1°),直接导致分支间距很小,这就存在着上包层覆盖填充的问题,如果填充不好,就会留有空隙,对波导器件性能造成不利的影响;对于有源器件来说还有可能造成上层金属断路。所以如何选择合适的温度、气流、掺杂