放电存储模式的PN型光电二极管

光电二极管采用2μm N阱CMOS工艺中的N阱-P衬底pn结来作光电二极管[51]。系统未加优化时,780 nm波长下3 dB带宽大于1.5 MHz,5V偏压下漏电流密度为0.5 pA/mm2,响应度R=0.5 A/W(η=70%)。 为了能够连续观察PN型光电二极管的光生电流,可以让其工作在存储模式。光电二极管的pn结电容可以被用来存储光生电荷,并在一定周期之后将它们读出,如图1所示[52]。 图1 工作在放电存储模式的PN型光电二极管 为了实现这个目的,当RESET MOS开关打开的时候,光电二极管的电容Cph初始化设置为反向电压Vrev。然后RES