单阱CMOS工艺PN型光电二极管 上传者：fgy15702 2020-11-17 18:47:59上传 PDF文件 66.72KB 热度 8次 最简单的制作CMOS OEIC的方法,就是利用CMOS工艺中能够很容易实现的pn结来作光电二极管,这其中包括源/漏-衬底pn结、源/漏-阱pn结,以及阱-衬底pn结。然而,这些pn结光电二极管通常位于没有电场分布的区域,在这些区域里,光生载流子的缓慢扩散运动限制了这些光电二极管的频率特性。已经报道的这种简单结构的CMOS OEIC的3 dB带宽都要小于15MHzH[49~51]。 CMOS工艺中源/漏-衬底和源/漏-阱pn结形成的光电二极管比较适合探测波长凡 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 fgy15702 资源：415 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
