半导体发光二极管以其优越的性能弥补了半导体激光器的不足囵,其主要特性为: (1)无阈值特性,在很低电流下就可以实现有效发光; (2)P-I特性好,容易进行信号调制,但是调制速率较低; (3)热稳定性好,输出功率随温度的变化较小; (4)工作寿命长,可靠性高,工作寿命大于10(8)h; (5)光谱线很宽(>30 nm),在波长为1.3 gm处频带宽度可达1 GHz。 此外,成品率高、价格便宜也是半导体发光二极管的一个显著优势之一。半导体发光二极管种类较多,分类方式灵活。按芯片材料大致可以分为化合物(如GaP,GaN和A1x-Ga1-xAs)发光二极管和硅基发光
