考虑到入射光在表面的反射率为R,则半导体表面(y=0)处光强P0,为 式中, popt为入射光强度,这时半导体中的光吸收由式(3-6)改写成: 入射光能量hv>Eg时,光强在半导体中由于本征吸收呈指数形式衰减,吸收所产生的电子-空穴对的产生率G(y)可以表示为 式中, A为入射光横截面积,hv为光子能量。当△y很小趋于零时,(P(y)-P{y+△y}))/A)=-dP(y)/dy,同时由式(3-8)得dP(y)/dy=-aP(y),因此每单位体积的电子ˉ空穴对产生率G(y)可以进一步表示为 欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com)
