电源技术中的PWM DC/DC转换器绝缘栅双极晶体管IGBT

绝缘栅双极晶体管IGBT(Insu1ated Gate Bipolar Transistor)是一种新型的复合功率开关器件。如图(a)为IGBT芯片的基本结构图,可以看出 ,IGBT比N型沟道的MOSFET多一个P+层。 IGBT的特点如下。 (1)IGBT是一种电压控制的功率开关器件:IGBT等效于用MOSFET做驱动级的一种压控功率开关器件。 (2)IGBT比MOSFET的耐压高,电流容量大:IGBT导通时正载流子从P+层流人N型区并在N型区积蓄,加强了电导调制效应,这就使IGBT在导通时 呈现的电阻比高压(300V以上)MOSFET低得多,因而IGBT容易实现高压大电流