元器件应用中的关于MOSFET的双峰效应量化评估研究

金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成。自从在1960年首次证明后,MOSFET快速的发展,并且成为微处理器与半导体记忆体(memory)等先进集成电路中最重要的元件。随着超大型集成电路(VLSI)的快速发展,浅沟槽隔离(STI)技术在MOSFET制成中得到了广泛的应用。当MOSFET的有效通道长度(L)和宽度(W)的尺寸越来越小时,一种MOS器件的失效模式:双峰效应(double-hump)也越