电子测量中的高功率半导体激光器的波长稳定技术

1. 引言 高功率半导体激光器系统作为发展成熟的激光光源,在材料加工和固体激光器泵浦领域具有广泛应用。尽管高功率半导体具备转换效率高、功率高、可靠性强、寿命长、体积小以及成本低等诸多优点,但是光谱亮度相对较差则是一个不容忽视的缺点。半导体激光器bar条典型的光谱带宽大约是3~6nm,而且峰值波长会受工作电流和工作温度的影响而发生漂移。 通常,掺钕固体晶体是对其相对较宽的808nm吸收带进行泵浦,标准的半导体激光器系统能很容易地满足808nm泵浦的光谱要。但是在过去几年里,随着半导体激光器bar条的工作电流和功率的不断提高,导致在从阈值电流上升到工作电流的过程中产生了更大的波长漂移。