电源技术中的飞兆半N沟道WL CSP MOSFET能在便携应用中延长电池寿命

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求,推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ,这两款器件使用先进的PowerTrench工艺技术,具有更低的RDS(ON),更高的效率,并可延长电池寿命。 飞兆半导体的FDZ192NZ和FDZ372NZ是业界最小、最薄的晶圆级芯片尺寸(wafer-level chip-scale, WL-CSP) 封装N沟道器件。这些器件通过使用先进的芯片级尺寸封装工艺,能够显著节省线路板空间,为便携应用带来至关重要的