模拟技术中的利用MOSFET降低传导和开关损耗

金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。 监管机构与终端客户对DC/DC电源效率的要求越来越高,也要求更低的导通阻抗,同时不能影响非钳位电感性开关(UIS)能力或者不增加开关损耗。屏蔽栅极MOSFET可为30~200V范围的DC/DC电源设计人员提供相关解决方案。现在,通过提高开关性能,导通阻抗Rds(on)已能降低50%及以上,从而提高效率,为更高频率工作