应用于安全芯片的一种低功耗高精度基准源

利用亚阈值CMOS管的I-V指数工作特性,对三级管VBE电压的负温度系数进行补偿,实现了一种针对安全芯片应用需求的新型基准源。该基准源核心结构是使用亚阈值CMOS管搭建缓冲运放,实现6级温度补偿,输出1 V基准电压。所提出的基准源使用SMIC 180 nm工艺实现,并通过Spectre仿真验证:全温区-40 °C~125 °C内,基准电压变化范围小于1 mV;该基准源典型功耗4.5 A;对低功耗高精度基准源的研究具有很强的实用性和指导意义。