模拟技术中的基于电荷泵改进型CMOS模拟开关电路

当前VLSI 技术不断向深亚微米及纳米级发展,模拟开关是模拟电路中的一个十分重要的原件,由于其较低的导通电阻,极佳的开关特性以及微小封装的特性,受到人们的广泛关注。模拟开关导通电阻的大小直接影响开关的性能,低导通电阻不仅可以降低信号损耗而且可以提高开关速度。要减小开关导通电阻,可以通过采用大宽长比的器件和提高栅源电压的方法,可是调节器件的物理尺寸不可避免地会带来一些不必要的寄生效应,比如增大器件的宽度会增加器件面积进而增加栅电容,脉冲控制信号会通过电容耦合到模拟开关的输入和输出,在每个开关周期其充放电过程中会消耗更多的电流,时间常数t=RC, 充放电时间取决于负载电阻和电容,使得开关的速度变慢