用于未来轨道牵引电路的双SiC MOSFET 模块的特性检测

硅IGBT 已经广泛用于轨道牵引变频器,不久的将来,碳化硅(SiC) 技术将在3 个方向上进一步扩展开关器件的极限:更高的阻断电压、更高的工作温度和更高的开关速度。如今,第一批SiC MOSFET 模块已经有效的投向市场,并且很有希望。虽然目前在阻断电压方面仍有待提高,但这些宽禁带器件将大大改善牵引电路的效率,尤其是在开关损耗上预期会有显著的降低,从而导致功率- 重量比的大幅改善。