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SiC MOSFET隔离式高速驱动电路设计

上传者: 2020-03-24 01:04:05上传 PDF文件 375.98KB 热度 31次
SiCMOSFET隔离式高速驱动电路设计,李刚,高强,近年来随着宽禁带器件的逐步商业化,其市场占有率迅速攀升。为了充分体现SiC器件的优势,本文以高温石油井下参数测量系统为背景,
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