嵌入式系统/ARM技术中的AlGaInP红光垂直结构超高亮度LED芯片研制方法

一、引言 四元系发光二极管一般使用GaAs衬底,由于GaAs衬底的禁带宽度比AlGaInP窄,有源区所产生的往下发射的光子将会被吸收掉,使得发光效率大幅度降低。目前发光二极管的发展方向主要是高亮度及全彩色 ,GaAlAs、GaAlInP与GaInN是较成熟的半导体发光材料 ,其中GaAlAs是红光二极管的优选材料 ,GaAlInP材料根据Al组分的变化能得到红光(680nm)到绿光 (560nm)的光波 ,以反射射向衬底的光,减少GaAs的吸收,最早的GaAlInP高亮度发光二极管90年代初由美国HP。 为了提高发光效率,人们开始进行其它衬底代替GaAs吸收衬底的研究。其中一种方