AlGaInP红光垂直结构超高亮度LED芯片研制 上传者：koreyoushi 2020-10-28 05:56:49上传 PDF文件 126.11KB 热度 15次 目前,AlGaInP四元系发光二极管一般使用GaAs衬底,由于GaAs衬底的禁带宽度比AlGaInP窄,有源区所产生的往下发射的光子将会被吸收掉,使得发光效率大幅度降低。为避免衬底吸光,通常在衬底与有源层之间加入一层分布布拉格反射层(DBR),以反射射向衬底的光,减少GaAs的吸收。由于DBR反射层只对法线方向较小角度内(通常qDBR 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 koreyoushi 资源：440 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
