技术突破:LED芯片抗反向静电能力达到3 kV 上传者：freechenfreechen 2020-10-28 05:57:28上传 PDF文件 138.51KB 热度 4次 韩国研究人员通过在LED芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓LED的抗反向静电能力提高到了3kV。来自韩国光技术院(KOPTI)和光州科学技术院的研究人员声称:“这种LED芯片加工简便,可靠性高。” 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 收藏 腾讯 微博 用户评论 发表评论 freechenfreechen 资源：424 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
