模拟技术中的估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升

我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。一种估算热插拔MOSFET 温升的简单方法进行研究根据系统组件的物理属性,计算得到热阻和热容。 本文中,我们把图1 所示模型的瞬态响应与图3 所示公开刊发的安全工作区域(SOA 曲线)部分进行了对比。 图1 将散热容加到DC 电气模拟电路上 根据CSD17312Q5 MOSFET、引线框以及贴装MOSFET 的印制电路板(PWB) 的物理属性,估算得到图1的各个值。在查看模型时,可以确定几个重要的点。要使增强型N沟道MOSFET工作,要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS,则产生正向工作