电源技术中的500 V/8 A高压、大电流VDMOSFET的设计与研制

O 引言 随着半导体生产制造工艺的不断改进,器件模拟和工艺模拟的精度与实际工艺流程的吻合性将越来越好,使产品的模拟结果更具有实用性、可靠性。随着现代工艺水平的提高与新技术的开发完善,功率VDMOSFET设计研制朝着高压、高频、大电流方向发展,成为目前新型电力电子器件研究的重点。 本文设计了漏源击穿电压为500 V,通态电流为8 A,导通电阻小于O.85 Ω的功率VDMOSFET器件,并通过工艺仿真软件TSUPREM-4和器件仿真软件MEDICI进行联合优化仿真,得到具有一定设计余量的参数值。 1 VDMOSFET工作原理 VDMOSFET是电压控制器件,在栅极施加一定的电压