高压功率VDMOSFET的设计与研制

本文在计算机仿真优化的基础上,通过对产品测试结果的分析及工艺条件的调整,最终实现了成功研制。相对于传统的流水线小批量投片、反复试制的方法大大节约了研制成本,收到了事半功倍的效果。随着半导体生产制造工艺的不断改进,器件模拟和工艺模拟的精度与实际工艺流程的吻合性将越来越好,使产品的模拟结果更具有实用性、可靠性。