赛普拉斯全新低功耗异步SRAM开始出样

静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布,其具有错误校正代码(ECC)的16Mb低功耗异步SRAM已开始出样。全新MoBL (More Battery Life,更久电池续航) SRAM的片上ECC功能可使之具有最高水准的数据可靠性,而无需另外的错误校正芯片,从而简化设计并节省电路板空间。该MoBL器件可延长工业、军事、通讯、数据处理、医疗和消费电子等应用领域里手持设备的电池续航时间。 背景辐射造成的软错误可损坏存储内容,丢失重要数据。赛普拉斯新型异步SRAM中的硬件ECC模块可在线执行所有错误校正动作,无需用户干预,因而具有业界最佳的软错误率(SER)性能,错