元器件应用中的三极管饱和和深度饱和状态的理解和判断 上传者:beyond16548 2020-10-28 03:06:53上传 PDF文件 264.86KB 热度 20次 本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。 三极管饱和问题总结: 1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。 2.集电极电阻 越大越容易饱和; 3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制 问题:基极电流达到多少时三极管饱和? 解答:这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估算是这样的:假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电阻通过电流最大也就是5mA,用除以该管子的β值 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 beyond16548 资源:417 粉丝:0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台,下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容!联系邮箱:server@dude6.com