基础电子中的三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断!

三极管饱和问题总结: 1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。 2.集电极电阻 越大越容易饱和。 3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制。 问题:基极电流达到多少时三极管饱和? 解答:这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估算是这样的:假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电阻通过电流最大也就是5mA,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA,