嵌入式系统/ARM技术中的第三代低延时内存被美光科技推出

低延时网络解决方案 美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延时DRAM (RLDRAM○R 3内存)—一种高带宽内存技术,能更有效的传输网络信息。视频内容、移动应用和云计算的蓬勃发展,对网络基础设施提出了更高效的要求,以便在线传输大量数据。与前几代产品相比,美光新的RLDRAM 3内存进一步提高了存储密度和速度,同时最大限度地减少了延迟,降低了功耗,在网络应用中性能更好。 美光的DRAM营销副总裁Robert Feurle说:“随着互联网内容消费的不断增长,人们日益需要有一种能支持网络流量增长的技术,美光的RLDRAM 3内存满足了这种需求”