Vishay发布新款具有“R”失效率的QPL钽氮化物薄膜片式电阻
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出通过MIL-PRF-55342认证的新系列QPL表面贴装片式电阻---E/H(Ta2N),该电阻具有公认的高可靠性,失效率达到每1000小时0.01%的“R”级。新款E/H(Ta2N)电阻采用耐潮的钽氮化物电阻膜技术制造,为军工和航天应用提供了更好的规格指标,包括0.1%的公差和25ppm/°C的TCR. 今天推出的Vishay Dale薄膜QPL电阻适用于军工和航天应用的控制系统,在这些场合下,工作过程中的潮气或长时间存放都是需要考虑的问题。器件的钽氮化物电阻膜使器件的耐潮能力超过MIL-PRF-55342规定限值的
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