IGBT模块的杂散参数计算与封装设计研究 上传者：husela 2020-06-03 18:03:58上传 PDF文件 5.2MB 热度 26次 绝缘栅型双极性晶体管(insulatedgatebipolartransistor，IGBT)模块由于线路杂散电感的存在使得在开通和关断的瞬态 过程中产生过大的电压尖峰，过压会使IGBT芯片的集电极电流增大从而导致结温上升，且其是导致IGBT模块失效的一个 重要因素，通过有限元仿真软件AnsoftQ3DExtractor对键合线结构IGBT模块的杂散参数进行计算并对其封装结构进行优 化，设计可有效降低IGBT模块杂散参数的平板封装结构，结果显示平板封装IGBT模块的主回路杂散电感为11.365nH， 电阻为0.409mΩ，与键合线结构IGBT模块相 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 收藏 腾讯 微博 用户评论 码姐姐匿名网友 2020-06-03 18:03:58 有点坑，这纯粹是一篇研究型的文章而已，既没有啥参考技术，也没有啥结果，很失望，亏大了 发表评论 husela 资源：2 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
有点坑，这纯粹是一篇研究型的文章而已，既没有啥参考技术，也没有啥结果，很失望，亏大了