2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计

在红外通信的1 310~1 550 nm波段,高灵敏度探测材料主要有Ge—APD和InGaAs/InP APD,两者相比较,InGaAs/InP APD具有更高的量子效率和更低的暗电流噪声。In0.53Ga0.47As/InP APD采用在n+-InP衬底上依次匹配外延InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP能隙渐变层、InP电荷层与InP顶层的结构。