1. 首页
  2. 移动开发
  3. 其他
  4. 论文研究 High Order Analytic Approximation for MOSFET Surface Potential with Lateral

论文研究 High Order Analytic Approximation for MOSFET Surface Potential with Lateral

上传者: 2020-07-26 04:09:32上传 PDF文件 194.54KB 热度 17次
考虑横向电场效应的MOSFET表面势高阶解析计算,常胜,黄启俊,横向电场效应将使MOSFET沟道不满足均匀梯度近似并影响表面势的分布。本文给出了一种对考虑横向电场效应MOSFET表面势的高阶解析计算。
用户评论