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超薄晶体硅反射的亚GeV电子的观察

上传者: 2020-07-20 01:41:35上传 PDF文件 1.38MB 热度 13次
在SAGA-LS设备的注入器直线加速器上,对通过0.74μm厚的Si晶体传输的255MeV电子的镜像效应进行了详细的实验研究。 对于平面通道对准,观察到光束偏转了0.45 mrad,效率为29%。 通过计算机模拟将这种效应解释为在晶面具有吸引力的一维周期性势中的平面沟道相对论电子的轨迹序列。 提出了作为分束器的可能应用。
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