KoP calculations of bismuth induced changes band structure of InN1 xBix GaN1 xBi
基于KoP方法的InN1-xBix,GaN1-xBix和AlN1-xBix电子能带研究,张峻瑜,芦鹏飞,为了优化Ⅲ族氮化物相关器件的电子效率,价带交叉模型(VBAC)被用来研究InN1-xBix, GaN1-xBix和AlN1-xBix体系的电子能带结构。明显的带隙缩
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