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论文研究 稀磁半导体Ga中的载流子诱导的磁孤子和金属 绝缘体跃迁

上传者: 2020-07-19 17:31:22上传 PDF文件 724.55KB 热度 12次
从场理论公式的角度讨论了稀磁半导体Ga1-xMnxAs中空穴诱导的磁孤子和输电性质的金属-绝缘体跃迁,并使用超对称sigma公式和有效拉格朗日方程分析了输运性质的实验数据模型。
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