RFMEMS开关释放时间过长的解决方案.pdf

针对 ＲＦ ＭＥＭＳ开关释放时间过长的问题，提出了一种电压控制方法有效地缩短了开关的释放时间，提高了开关的速度。这种方法无需修改器件设计，仅需要调整偏置电压变化形式，用线性压降替代传统的阶跃压降，就能有效抑制 ＭＥＭＳ梁在释放过程中的振动。给出了这种方法的相关理论、等效模型及仿真结果。由 ＡＮＳＹＳ仿真结果可知，在标准大气压下，采用２８μｓ单段线性压降后，梁的释放时间从１０３μｓ缩短到６２．５μｓ；采用２６μｓ双段线性压降后，梁的释放时间进一步缩短到２６μｓ，仅为原来的１／４，即开关速度约为原来的４倍。