并联eGaN FET提高转换器性能

第1部分 增强型氮化镓(eGaN)FET与硅功率MOSFET相比有许多优势,而且就像MOSFET一样,许多设计人员想通过并联器件来提高其转换器的功率性能。因为eGaN FET的开关速度要比商用MOSFET快十倍,所以并联会带来许多新挑战。这篇文章分成两部分,讨论了这些挑战并提出了如何获得优异性能的建议。 本文介绍了5种采用半桥配置的基本设计,其中每个开关使用了4个EPC2001并联器件(100V、25A)。还讨论了每个参量因子的优缺点。最后展示了一种使用并联eGaN FET设计的1MHz降压转换器,与相似电路中的先进硅器件相比,该器件具有特别优异的性能。 在这篇文章中,我们把