利用开发板实现对eGaN FET电源设计的评估

长期以来,宽带隙氮化镓硅(GaN-on-Si)晶体管现已上市。他们被吹捧为取代硅基MOSFET,这对于许多高性能电源设计而言效率低下。近,市场上出现了几家基于GaN-on-Si的HEMT和FET的供应商,其中包括高效电源转换(EPC)。在过去的四年中,该公司一直在扩展其商用增强型(常关)GaN FET或eGaN FET系列。今天,低压eGaN FET系列中大约有11个成员,超高频线中大约有8个成员。 这些高性能,宽带隙晶体管被推荐用于各种高频高效率,高密度DC/DC转换器和其他针对新兴应用的电源,如无线功率传输,包络跟踪,RF传输,太阳能微型逆变器,LiDAR,遥感和D类音频放大器