PLD生长碲化铋(Bi)的制备与表征

我们报告了多支腿碲化铋（Bi2Te3）和碲化锑（Sb2Te3）热电器件的制造和表征。 使用脉冲激光沉积（PLD）将这两种材料沉积在SiO2 / Si基板的顶部。 SiO 2层用于在器件和Si晶片之间提供绝缘。 铜用作电连接器，并用作连接点。 构建了四个器件，其中Bi2Te3和Sb2Te3分别在100°C，200°C，300°C和400°C的衬底温度下沉积。 结果表明，该器件的电压灵敏度高达146μV/ K，温度灵敏度为6.8 K / mV。