e + e →ΛΛ ̄中接近质量阈值的横截面增强的观察

使用在BEPCII对撞机上运行的BESIII检测器收集的数据样本s = 2.2324、2.400、2.800和3.080 GeV研究了e + e-→ΛΛ过程。 在s = 2.2324 GeV（比Λ质量阈值高1.0 MeV）处测得的Born横截面为305±45-36 + 66 pb，其中第一个不确定度是统计的，第二个是系统性的。 接近阈值的横截面大于理论上预期的横截面，该理论预测横截面将在阈值处消失。 测量了在s = 2.400、2.800和3.080 GeV处的Born横截面，发现与先前的实验结果一致，但精度有所提高。 最后，推导相应的有效电磁形状因数Λ。