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外延氧化铟薄膜中的表面缺陷及其对薄膜电导率的影响

上传者: 2020-07-17 20:34:26上传 PDF文件 702.08KB 热度 20次
外延氧化铟薄膜中的表面缺陷及其对薄膜电导率的影响,张玉杰,李志青,透明导电氧化物 (TCOs) 大多是宽禁带n 型半导体材料,如氧化锌、氧化铟、氧化锡。这类材料即使在不掺杂的情况下,其薄膜形状的电导�
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