GaAs薄膜发光改性研究进展 上传者：qq_66106 2020-07-17 11:06:36上传 PDF文件 659.86KB 热度 50次 GaAs薄膜发光改性研究进展，肖卫，贾慧民，砷化镓(GaAs)作为一种重要的III-V族材料。具有电子迁移率高、本征载流子浓度低、发光效率高等特性，广泛应用半导体光电器件中。对GaAs 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
