论文研究 微波等离子体加热在玻璃基板上形成多晶硅膜并在膜上制备TFT

我们已经开发出一种用于生产高密度氢等离子体的设备。 在30Pa的压力，1000W的微波功率和5sccm的氢气流速下，原子氢密度为3.0×1021m 3。 我们确认，当钨膜暴露于使用该设备形成的氢等离子体后，其温度会在5 s内升高至1000°C以上。 我们将此现象应用于沉积在玻璃基板上非晶硅膜上的钨膜和形成的多晶硅膜的选择性热处理。 要利用这种方法，我们只能在器件区域执行结晶工艺。 在多晶硅膜上制造TFT，并获得60cm 2 / Vs的电子迁移率。