LP MOCVD反应器中输运现象的数值研究

Name: LP MOCVD反应器中输运现象的数值研究
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Author: patrice75713

上传者：patrice75713 2020-07-17 00:40:02上传 PDF文件 1.09MB 热度 37次

LP-MOCVD反应器中输运现象的数值研究，钟树泉，任晓敏，本文利用二维动力学模型，通过变化MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 反应器的几个重要工艺控制参数，计算了其内部稳态热流场均匀

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