论文研究 SOI NMOS器件总剂量效应三维数值模拟 .pdf 上传者：宛陵秋 2020-07-16 23:28:40上传 PDF文件 372.39KB 热度 20次 SOI NMOS器件总剂量效应三维数值模拟，刘红侠，申远，本文利用TCAD三维仿真工具研究了同时存在电子和空穴陷阱条件下0.5 μm SOI NMOS器件的总剂量效应。研究发现在埋氧中注入电子陷阱可以有� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 收藏 腾讯 微博 用户评论 发表评论 宛陵秋 资源：19545 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
