论文研究 SOI NMOS器件总剂量效应三维数值模拟 .pdf 上传者：宛陵秋 2020-07-16 23:28:40上传 PDF文件 372.39KB 热度 38次 SOI NMOS器件总剂量效应三维数值模拟，刘红侠，申远，本文利用TCAD三维仿真工具研究了同时存在电子和空穴陷阱条件下0.5 μm SOI NMOS器件的总剂量效应。研究发现在埋氧中注入电子陷阱可以有� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
