论文研究 3D堆叠芯片硅通孔容错设计.pdf

3D堆叠芯片采用硅通孔（Through-Silicon Vias，TSVs）技术垂直连接多个裸晶（die），具有较高的芯片性能和较低的互连损耗，引起工业界和学术界的广泛关注。随着3D芯片堆叠层数的增加，一个TSV小故障都可能导致成本的大幅度增加和芯片良率的大幅度降低。TSV的密度与故障的发生概率有着密切的关系，TSV密度较大时，其发生故障的概率就会增大。为了减少故障产生的概率，提高良率，提出一种以密度为导向的TSV容错结构，首先将TSV平面分成多个密度区间，密度较大区间的信号TSV被分配较多的修复TSV，但同时此区间上设计尽量少的修复TSV，以减少此区间内总的TSV密度。理论分析和实验结果均表