论文研究 ZnSe和ZnS的组成和带隙控制的AACVD

ZnSe和ZnSxSe1-x的多晶薄膜已通过气溶胶辅助化学气相沉积（AACVD）从双（diethyldiselenocarbamato）锌（II）和1：1和1：0.75的bis（diethyldiselenocarbamato）锌混合物（ II）和双（二乙基二硫代氨基甲酸）锌（II）作为前体。 所有薄膜均通过p-XRD，SEM，EDX，拉曼光谱，光致发光（PL和UV / Vis光谱）表征。发现纯ZnSe薄膜的带隙为2.25，而ZnSxSe1-x薄膜的带隙为2.55。 ZnSxSe1-x薄膜的ZnSxSe1-x薄膜具有明显的蓝移，这是由于薄膜中的硫含量增加了带隙，可以控制ZnSSe的带隙ZnSe